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ZnO是六方晶系纖鋅礦結構,其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態,氧離子以六方密堆,鋅離子占據一半的四面體空隙,鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構,開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響,所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的,正負離子的配位數均為4,所以容易引入外部雜質,ZnO熔點為2248,密度為5.6g/cm3,純凈的ZnO晶體,其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成,禁帶寬度為3.2~3.4eV,因此,室溫下,滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體,而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子,所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。
Eda等認為,在本征缺陷中,填隙鋅原子擴散快,對壓敏電阻穩定性有很大影響。
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氧化鋅壓敏電阻的功率損耗和阻性電流的增加:
在直流電壓作用下對氧化鋅壓敏電阻進行加速老化試驗,試驗結果表明,與交流電壓作用下壓敏電阻一樣,氧化鋅壓敏電阻的功率損耗和阻性電流在老化試驗過程中明顯增加

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